반도체형
시리즈:속단 서지 퓨즈 C-FAP [전반]
특징 | MOSFET과 전류 검출 회로를 내장 고속 응답 (1㎲ 이내) 넓은 통과 대역 fc = 3GHz 적은 데이버스의 소비 전력(100 nJ) |
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유형 | 반도체 (트랜지스터) |
실장 유형 | 표면실장 ※ 최소 SMD 패키지 (DFN) |
임펄스 전압 | 250 / 400 / 500 / 600 / 650 / 750 / 850 V max. |
취득 인증 및 규격 | UL인증 |
응용 | 오락시설, 산업장비, 차량, 건설장비, 생활용품, 방재장비, 정보통신장비 |
각 시리즈 | C-FAP의 각 시리즈의 확인은 여기로 |
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시리즈:속단 서지 퓨즈 C-FAP-PL
방식 | 반도체(MOSFET트랜지스터) |
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패키지 | 최소 SMD 패키지 (DFN) |
절대 최대 정격 | Vimp:600 ~ 850 V / Vrms:350 ~ 425 V |
트리거 전류 | 100 ~ 200 mA Min. / 200 ~ 400 mA Max. |
트리거 전류 방향 | 쌍방향 |
내장 회로수 | 2회로 |
규격 | UL 인증품 |
사이즈 | 6.5 × 4.00 mm |
용도 | SLIC 보호, 케이블 / DSL, MDU/MTU 모뎀, ONT, 음성 / DSL 라인 카드 |
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시리즈:속단 서지 퓨즈 C-FAP-DT
방식 | 반도체(MOSFET트랜지스터) |
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패키지 | 최소 SMD 패키지 (DFN) |
절대 최대 정격 | Vimp:650 ~ 850 V / Vrms:300 ~ 425 V |
트리거 전류 | 100 ~ 500 mA Min. / 200 ~ 1000 mA Max. |
트리거 전류 방향 | 단방향 |
내장 회로수 | 21회로 |
규격 | UL 인증품 |
사이즈 | 5.00 × 5.00 mm |
용도 | 이더넷 포트, 보호 모듈 및 동글, 공정 제어 장비, 시험/계측 기기, 범용 전자 기기 |
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시리즈:속단 서지 퓨즈 C-FAP-CA
방식 | 반도체(MOSFET트랜지스터) |
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패키지 | 최소 SMD 패키지 (DFN) |
절대 최대 정격 | Vimp:250 ~ 850 V / Vrms:100 ~ 425 V |
트리거 전류 | 50 ~ 500 mA Min. / 100 ~ 1000 mA Max. |
트리거 전류 방향 | 쌍방향 |
내장 회로수 | 1회로 |
규격 | UL 인증품 |
사이즈 | 6.5 × 4.00 mm |
용도 | 음성 / VDSL 카드, 보호 모듈 및 동글, 공정 관리 장치, 시험 / 계측 기기, 범용 전자 기기 |
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시리즈:C-FAP 기술/애플리케이션 노트
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기술노트 | C-FAP 제품 개요 |
응용노트 AN1 | 휴대 전화 기지국 보호 |
응용노트 AN2 | 표준 RTCA-DO160이 포함된 LVDS 애플리케이션에서 고속으로 조명 과도에 대한 민감성 |
응용노트 AN3 | RS-485 포트에 대한 첨단 회로 보호 기술 구현 |
응용노트 AN4 | RS-485 포트 보호를 위한 평가 보드 |
응용노트 AN5 | VDSL 보호용 평가 보드 |
응용노트 AN6 | SLIC 보호 평가 보드 |
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